东京工业大学 Iwamoto 组[26]采用共溅射 Cu-Ti 合金靶 氧分压渐变工艺，在玻璃表面构筑了 300 nm 厚的 CuxTiyOz 梯度层，Cu 含量从 0 at%（玻璃侧）连续升至 85 at%（铜侧），对应 CTE 由 5 ppm 连续过渡到 15 ppm。FEM 模拟显示，该梯度层把原本集中在 Cu/SiO₂ 界面处的最大剪应力 τmax 从 420 MPa 降至 180 MPa，降幅 57%。但梯度层本身为金属-氧化物复合相，电阻率比纯铜高 2–3 个数量级，无法作为信号线直接使用，只能作为“牺牲缓冲”留在结构中，牺牲布线密度。