简述NorFlash和Nand Flash存储器的差别。
简述NorFlash和Nand Flash存储器的差别。
发布时间：2025-03-13 01:38:26
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答案：答:Flash闪存是非易失存储器,是对其内部块的存储器单元块进行擦写和再编程。Flash芯片主要有NorFlash和Nand Flash两种。它们在某些方面存在一定的差异,如:Nand器件执行擦除操作简单,而Nor则要求在进行写入前先将目标块内所有的位都写为0; Nor的读速度比Nand稍快一些; Nand的写入速度比Nor快很多,Nand需4ms擦除,而Nor需要5s快。Nand Flash的单元尺寸几乎是Nor器件的一半,由于生产过程更为简单,其价格低。在Nand闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而Nor的擦写次数是十万次。Nor具有XIP(eXecute In Place,芯片内执行)特性,应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。Nor的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。Nand结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。在接口方面,Nor Flash和Nand Flash也存在着差别。Nor Flash带有SRAM接口,Nand器件使用复杂的I/O口来串行存取数据。
