找答案
考试指南
试卷
请在
下方输入
要搜索的题目:
搜 索
为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( )。
A、du/dt抑制电路
B、抗饱和电路
C、di/dt抑制电路
D、吸收电路
发布时间:
2025-03-30 22:31:13
首页
公共卫生执业医师
推荐参考答案
(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
联系客服
答案:
抗饱和电路
相关试题
1.
为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( )。
2.
为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,恒流驱动电路经常采用( )。
3.
功率控制元件高压IGBT采用( ) 驱动
4.
本项目中,晶体管闪光电路两个晶体管的导通和截止时间相等。()
5.
交流放大电路中,晶体管一旦进入饱和或截止状态,IB对IC将( )。
6.
使用右腿驱动电路能够使共模干扰减少( )
7.
3.电路如图所示,设晶体管的饱和压降可以忽略。若输入电压有效值求输出功率P。、电源是供的功率PE以及两管的总管耗图
8.
饱和潜水深度代表一个国家深海作业的水平,目前法国的饱和潜水深度约为600米,俄罗斯的饱和潜水深度约是法国的23,中国的饱和潜水深度是俄罗斯的34.中国的饱和潜水深度是多少米?
9.
在电路中晶体管有种接法
10.
【单选题】电路如图所示, , ,则网络N的功率为()。
热门标签
综合知识题库
小学语文面试真题题库
滴滴考试题库答案
行测考试题库
教师进城考试题库
军队文职题库
国网题库
题库国考
教师资格证试讲题库
英语单选题库
教师资格证面试结构化面试题库
国网考试题库
考研历年真题库
幼儿教师考试题库全部
三类人员考试题库
数字推理题库
外国美术史题库
事业考试题库
事业单位招聘考试题库
大学考试题库