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5、电力MOS管在漏极和源极之间加反向电压时可使器件导通。
A、正确
B、错误
发布时间:
2025-09-03 08:54:45
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答案:
A
相关试题
1.
5、电力MOS管在漏极和源极之间加反向电压时可使器件导通。
2.
【填空题】耗尽型NMOS管在栅极和源极之间没有外加电压时,漏极和源极之间()[存在,不存在]沟道。栅极和源极之间加负电压,能使沟道变()[宽,窄]
3.
MOS管的源极和漏极分别对应于晶体管的()
4.
PMOS管的电流方向是从漏极到源极,NMOS管的电流方向是从源极到漏极。
5.
晶闸管导通后,控制极改加适当大小的反向电压,则可控硅()。
6.
NMOS管G极电压越高,DS间导通程度越强。
7.
沟道电压、栅极电压和漏极电压三者之间的关系是什么?( )
8.
晶闸管加上阳极电压后,不给门极加触发电压,晶闸管也会导通。
9.
当晶闸管承受正向阳极电压时,门极加反向触发电压,管子将工作在
10.
载流子沟道在栅氧层下形成 ,源和漏之间“导通”。
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