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以对Si掺入As后形成的N型半导体为例,简述掺杂对半导体导电能力的影响。
以对Si掺入As后形成的N型半导体为例,简述掺杂对半导体导电能力的影响。
发布时间:
2025-03-18 09:51:13
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答案:
【计分规则】: 答:对纯的半导体材料掺入适当的杂质,也能提供载流子。在Si掺入As后形成的N型半导体,杂质在带隙中提供带有电子的能级,能级略低于导带底的能量,和价带中的电子相比较,很容易激发到导带中形成电子载流子。
相关试题
1.
以对Si掺入As后形成的N型半导体为例,简述掺杂对半导体导电能力的影响。
2.
在掺杂后的半导体中,其导电能力的大小主要取决于( )。
3.
N型半导体是在本征半导体中掺入( )元素。
4.
本征半导体的导电性能主要受掺杂浓度的影响。
5.
N型半导体主要靠 导电,P型半导体主要靠 导电
6.
在N型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P型半导体
7.
光注入对半导体电导率的影响是:
8.
在N型半导体中,多数载流子为电子,N型半导体( )
9.
在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为:
10.
什么是P型半导体和N型半导体,PN结是如何形成的?
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