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碳化硅晶体表面生长螺旋可用以下哪个生长理论解释?
碳化硅晶体表面生长螺旋可用以下哪个生长理论解释?
发布时间:
2024-10-26 22:33:57
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答案:
螺旋生长理论
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碳化硅晶体表面生长螺旋可用以下哪个生长理论解释?
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层生长理论和螺旋生长理论都是层层外推生长。
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以粗糙界面生长的晶体,生长方向取决于热流方向,而与晶体的位相无关。
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以光滑界面生长的晶体有?
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某矿物晶体沿着Ng方向生长,为正延性。
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电子显微镜和理论分析表明,核生长型薄膜的生长过程分为 阶段。
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生长硅晶体最常用的方法是直拉法(Czochralski)。
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目前生长上应用的植物生长调节剂分为植物生长促进剂、植物生长延缓剂、植物生长抑制剂。下列植物生长调节剂为植物生长促进剂的是:
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生长轮就是年轮,年轮就是生长轮( )
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生长调节剂
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