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晶体生长
晶体生长
发布时间:
2025-07-29 15:48:09
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答案:
在过饱和溶液中已有晶核形成或加入晶种后,以过饱和度为推动力,晶核或晶种将长大,这种现象。
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1.
晶体生长
2.
晶体生长形态与温度梯度有关。
3.
生长速度大的晶面在晶体生长过程中最后被保留了下来。( )
4.
只有过饱和溶液处于亚稳区,才能保证晶体生长速率大于成核速率。
5.
碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术,目前行业采用主流的方法为( )
6.
碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术,目前行业采用主流的方法为()。
7.
当熔体从Tm冷却时,黏度随之减小,成核和晶体生长的阻力减小。
8.
金属有机物化学气相沉积(简称MOCVD),是一种利用化学反应从气相进行薄膜晶体生长的方法。
9.
固溶体合金结晶过程中,当冷却速度造成的温度梯度很大时,其成分变化造成的“成分过冷区域”很窄,晶体生长界面倾向于树枝状。
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