找答案
考试指南
试卷
请在
下方输入
要搜索的题目:
搜 索
硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
A、正确;
B、错误
发布时间:
2025-05-24 13:54:03
首页
执业药师继续教育
推荐参考答案
(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
联系客服
答案:
正确
相关试题
1.
硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
2.
【填空题】硅管 死区电压 约 V ,锗管 死区电压 约 V 。 硅管导通电压约 V ,锗管 导通 电压约 V
3.
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
4.
硅管的导通电压比锗管的小,反向饱和电流比锗管的大。
5.
硅二极管的导通压降约为( )
6.
GaAs的开启电压约为1V。
7.
LED背光的死区电压约为多少V,正常工作电压在多少V到多少V之间?
8.
二极管两端电压大于( )电压时,二极管才导通。
9.
NMOS管G极电压越高,DS间导通程度越强。
10.
电路如图所示,设二极管导通电压,电路的输出电压
热门标签
银行招聘笔试题库
注册税务师题库
行测题库软件
砖题库题库
执法考试题库
辅导员考试题库
邮政考试题库及答案
保密考试试题库
中石化考试题库
大学生题库
招聘笔试题库
公文写作题库
专升本题库
联通笔试题库
上机题库
公务员行测题库
资格考试题库
消防工程师题库
教师资格证面试结构化题库
常识判断题库