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一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
A、正确;
B、错误
发布时间:
2024-12-03 19:06:12
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错误
相关试题
1.
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
2.
通常情况下,硅和锗二极管的开启电压分别为( )和( )左右。
3.
通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
4.
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,二极管
5.
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,二极管()
6.
二极管两端电压大于( )电压时,二极管才导通。
7.
(判断题)二极管故障开路表现为二极管两端电压升高。( )
8.
由理想二极管构成的电路如图所示,电压=()
9.
二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏
10.
多项选择题:二极管的正向特性包括( )。 A. 死区 B. 正向导通区 C. 反向截止区 D. 反向击穿区
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