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当入射光能量高于禁带宽度时,价带电子受激发跃迁至导带,同时在价带上产生相应的空穴,形成电子空穴对。( )
A、对
B、错
发布时间:
2025-05-11 10:06:40
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(
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答案:
对
相关试题
1.
当入射光能量高于禁带宽度时,价带电子受激发跃迁至导带,同时在价带上产生相应的空穴,形成电子空穴对。( )
2.
光催化是当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后,电子从价带跃迁到导带,产生了电子-空穴对,电子具有( ),空穴具有( )。
3.
光催化的主要原理是:当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后,电子从价带跃迁到导带,产生了电子-空穴对,电子具有( ),空穴具有( )。
4.
在本征半导体中,载流子只能是从价带激发到导带的电子和在价带留下的空穴。
5.
51非平衡载流子的复合复合是指导带中的电子放岀能量跃迁回价带,使导带电子与价带空穴成对消失的过程。非平衡载流子逐渐消失的过程称为非平衡载流子的复合,是被热激发补偿后
6.
设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量E(k)和价带极大值附近能量E(k)分别为:https://bgk-photo.cdn.bcebos.com/6c224f4a20a446239fb105038822720e0cf3d75c.jpghttps
7.
本征半导体中,空穴浓度()电子浓度
8.
半导体具有电子及空穴两种类型载流子。
9.
料的带隙变化,增加电子-空穴对的复合率,从而降低开路电压。另外,温度升高,短路电路有所增加。
10.
请解释何为导带、价带及禁带
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