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在本征半导体中,载流子只能是从价带激发到导带的电子和在价带留下的空穴。
、正确
B、错误
发布时间:
2025-03-05 15:21:45
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消防设施操作员
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相关试题
1.
在本征半导体中,载流子只能是从价带激发到导带的电子和在价带留下的空穴。
2.
光催化是当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后,电子从价带跃迁到导带,产生了电子-空穴对,电子具有( ),空穴具有( )。
3.
51非平衡载流子的复合复合是指导带中的电子放岀能量跃迁回价带,使导带电子与价带空穴成对消失的过程。非平衡载流子逐渐消失的过程称为非平衡载流子的复合,是被热激发补偿后
4.
光催化的主要原理是:当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后,电子从价带跃迁到导带,产生了电子-空穴对,电子具有( ),空穴具有( )。
5.
直接带隙半导体,其价带顶和导带底
6.
本征半导体中,空穴浓度()电子浓度
7.
半导体具有电子及空穴两种类型载流子。
8.
导体没有禁带,价带和导带连接在一起。
9.
设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量E(k)和价带极大值附近能量E(k)分别为:https://bgk-photo.cdn.bcebos.com/6c224f4a20a446239fb105038822720e0cf3d75c.jpghttps
10.
硅导带和价带的极值位于k空间的相同位置。
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