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饱和区的条件和特点是
饱和区的条件和特点是
发布时间:
2025-06-04 21:12:02
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答案:
发射结正偏,集电结正偏
相关试题
1.
饱和区的条件和特点是
2.
P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
3.
信号量和条件变量的区别是,条件变量包含一个计数器。
4.
当晶体管工作在饱和区时,发射结电压和集电结电压应为
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MOS管在模拟集成电路中的工作区域是饱和区。
6.
电磁电流互感器进入饱和区,二次电流会变大( )
7.
饱和水和饱和蒸汽的混合物称为湿蒸汽。
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金属切削过程中的第一变形区的特点是( )。
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发射结正偏、集电结反偏是双极型晶体管(BJT)工作在()区的外部条件。A、饱和B、截止C、反向击穿D、放大
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理想运放工作在饱和区时也存在“虚短”现象。
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