找答案
考试指南
试卷
请在
下方输入
要搜索的题目:
搜 索
P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
A、正确
B、错误
发布时间:
2025-02-16 22:47:47
首页
医学继续教育
推荐参考答案
(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
联系客服
答案:
A
相关试题
1.
P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
2.
沟道长度调制效应,使有效沟道长度Leff随VDS电压的增加而减小,从而造成饱和区电流随VDS的增加而减小。
3.
CMOS反相器由一个N沟道增强型MOS管和一个P沟道增强型MOS管组成。 ( )
4.
对于增强型NMOS管,当vGS<VTN时,工作在截止状态。( )
5.
饱和区的条件和特点是
6.
vGS=0时,能够工作在恒流区的场效应管有
7.
MOS管在模拟集成电路中的工作区域是饱和区。
8.
其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。
9.
当晶体管工作在饱和区时,发射结电压和集电结电压应为
10.
The gate source voltage and the drain source voltage are as follows, and VTN, VTP or VPN, VPP values
热门标签
综合素质题库及答案
计算机题库及答案
军考题库
教师资格证考试题库
高校教师资格证考试题库
南方电网题库
事业单位笔试题库
信用社考试题库
综合基础知识题库
金融考试题库
教师资格面试题库
模拟考试题库
中国农业银行笔试题库
公务员考试题库大全
综合知识题库
国家试题库
政治理论考试题库
大学考试题库
公共基础知识考试题库
电信考试题库