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P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
A、正确
B、错误
发布时间:
2025-02-16 22:47:47
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答案:
A
相关试题
1.
P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
2.
当Vgs
3.
沟道长度调制效应,使有效沟道长度Leff随VDS电压的增加而减小,从而造成饱和区电流随VDS的增加而减小。
4.
N沟道增强型MOS管的沟道是P型。
5.
CMOS反相器由一个N沟道增强型MOS管和一个P沟道增强型MOS管组成。 ( )
6.
对于增强型NMOS管,当vGS<VTN时,工作在截止状态。( )
7.
饱和区的条件和特点是
8.
vGS=0时,能够工作在恒流区的场效应管有
9.
E-MOSFET根据导电沟道的电极性,分为N沟道和P沟道。
10.
MOS管在模拟集成电路中的工作区域是饱和区。
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