通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
A、正确;
B、错误
发布时间：2025-03-04 19:34:48
请在 下方输入 要搜索的题目：
推荐参考答案 (
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
答案：错误
【分析】:通常硅二极管的正向导通压降大于锗二极管的正向压降。
相关试题
- 1.通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
- 2.硅管的导通电压比锗管的小，反向饱和电流比锗管的大。
- 3.硅二极管与锗二极管的差别?
- 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）
- 5.一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
- 6.硅二极管的导通压降约为（ ）
- 7.45、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度升高为40°℃时,反向饱和电流
- 8.当二极管加正向电压时,二极管就,而当二极管加反向电压时,二极管就,这叫二极管的特性。
- 9.二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5 μA，温度每升高10oC，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为30oC时，反向饱和电流值为
- 10.通常情况下，硅和锗二极管的开启电压分别为（ ）和（ ）左右。
