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通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
A、正确;
B、错误
发布时间:
2025-03-04 19:34:48
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答案:
错误 【分析】:通常硅二极管的正向导通压降大于锗二极管的正向压降。
相关试题
1.
通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
2.
硅二极管与锗二极管的差别?
3.
当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )
4.
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
5.
硅二极管的导通压降约为( )
6.
45、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度升高为40°℃时,反向饱和电流
7.
二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5 μA,温度每升高10oC,其反向饱和电流值增大一倍,当温度为30oC时,反向饱和电流值为
8.
通常情况下,硅和锗二极管的开启电压分别为( )和( )左右。
9.
二极管反向电流越小,二极管的单向导电性越好
10.
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,二极管
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