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利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
A、对
B、错
发布时间:
2025-05-10 15:23:51
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(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
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答案:
对
相关试题
1.
利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
2.
在集成电路中,将掩膜版上的图形转移到光刻胶上的图形化工艺是 。
3.
光刻时需要多片掩膜版,每一掩膜版的图形都需要进行
4.
2、光刻要求硅片表面上存在的图案与掩膜版上的图形准确对准,这种特性指标我们称为 。
5.
如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。
6.
光刻胶的最小曝光量( )
7.
时通知主程序,系统更新最新的掩膜的引用,完成一次掩膜生成。但若目前没有最新生成的掩膜时,
8.
STM通过( )对抗蚀剂曝光。
9.
通常掩膜氧化采用的工艺方法为:
10.
曝光对应的付费模式是( )
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