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光刻时需要多片掩膜版,每一掩膜版的图形都需要进行
光刻时需要多片掩膜版,每一掩膜版的图形都需要进行
发布时间:
2025-05-16 20:00:49
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八大员
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(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
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答案:
(以下答案任选其一都对)套刻对准; 套准
相关试题
1.
光刻时需要多片掩膜版,每一掩膜版的图形都需要进行
2.
2、光刻要求硅片表面上存在的图案与掩膜版上的图形准确对准,这种特性指标我们称为 。
3.
数字投影微光刻技术中的动态掩膜同传统平面光刻的掩膜结构类似
4.
在集成电路中,将掩膜版上的图形转移到光刻胶上的图形化工艺是 。
5.
时通知主程序,系统更新最新的掩膜的引用,完成一次掩膜生成。但若目前没有最新生成的掩膜时,
6.
在制造PCB板时,需要用到锡膏掩膜图
7.
利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
8.
通常掩膜氧化采用的工艺方法为:
9.
在曝光之前需要将掩膜版上的对准记号与硅片上的对准记号对准,该工序称为: 。
10.
PCB图中的哪种掩膜与波峰焊工艺直接相关
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