找答案
考试指南
试卷
请在
下方输入
要搜索的题目:
搜 索
硒化锑的带隙为( )。
A、约1.7 eV;
B、1.0-1.2 eV;
C、约1.5 eV;
D、约2.0 eV
发布时间:
2025-02-25 16:04:33
首页
司法考试
推荐参考答案
(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
联系客服
答案:
1.0-1.2 eV
相关试题
1.
硒化锑的带隙为( )。
2.
硒化锑的光学带隙为( )。
3.
砷化镓是直接带隙半导体材料
4.
生命的元素不包括。? 硒碳硫锑
5.
硒化铅,硒化镉
6.
硅是一种间接带隙半导体,而锗是一种直接带隙半导体。
7.
根据半导体能带结构的特点,可以将半导体分为直接带隙半导体和()带隙半导体。
8.
直接带隙半导体,其价带顶和导带底
9.
晶体硅太阳能电池材料中所使用的晶硅材料为 接带隙半导体材料。
10.
通常,半导体材料的带隙比绝缘体的要大。
热门标签
社区专职工作者考试题库
法律常识题库
消防工程师考试题库
公基题库
经济学题库
中公教育题库
银行从业资格题库
中国移动考试题库
粉笔行测题库
管理知识题库
大学生题库
英语单选题库
计算机基础知识题库
党务知识题库
综合考试题库
生活常识题库及答案
司考题库
小学语文面试试讲题库
考公务员题库
事业编制考试真题库