找答案
考试指南
试卷
请在
下方输入
要搜索的题目:
搜 索
砷化镓是直接带隙半导体材料
A、对
B、错
发布时间:
2025-03-29 09:31:26
首页
注册建筑师
推荐参考答案
(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
联系客服
答案:
对
相关试题
1.
砷化镓是直接带隙半导体材料
2.
硅是一种间接带隙半导体,而锗是一种直接带隙半导体。
3.
晶体硅和GaAs都是直接带隙半导体材料。( )
4.
下一代半导体材料应为(),因为它在信息处理上速度可提高10倍。A.硅B.锗C.砷D.砷化镓
5.
直接带隙半导体,其价带顶和导带底
6.
砷化镓的导带极值位于在布里渊区 。
7.
通常,半导体材料的带隙比绝缘体的要大。
8.
半导体材料的光学带隙Eg是指其( )之间的能量差。
9.
晶体硅太阳能电池材料中所使用的晶硅材料为 接带隙半导体材料。
10.
以下可用来制备砷化镓薄膜的技术有( )。
热门标签
辅警公共基础知识题库
宪法知识题库
公基题库
农商银行考试题库
财务会计考试题库
银行从业资格证题库
教师招聘试题库
小学语文面试试讲题库
事业单位考试试题题库
公务员考试题库大全
人文知识题库
公考对题库
无领导小组题库及答案
小学教师资格证题库
行政职业能力测验题库
公安专业知识题库
英语单选题库
粉笔行测题库
面试的题库
银行金融知识题库