单晶硅在室温下的禁带宽度
单晶硅在室温下的禁带宽度
发布时间：2025-03-06 11:22:55
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答案：1.11
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- 1.单晶硅在室温下的禁带宽度
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- 3.宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
- 4.本征硅的禁带宽度为
- 5.禁带的宽度与周期性势场有关，禁带出现的位置与晶体结构有关。
- 6.Cu2O是n型半导体，其禁带宽度仅为2.2ev。（ ）
- 7.只有光的能量小于材料的禁带宽度时才可透过，可见光的能量在3.1eV左右，而ITO的禁带宽度在3.5eV，所以对可见光为透明而对紫外光为吸收。（ ）
- 8.从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体
- 9.半导体光催化材料的禁带宽度越大，太阳光谱的吸收范围越大。
- 10.半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度，已知某材料的禁带宽度Eg=1.39eV，则其发射波长为（ ）nm（结果保留小数点后3位即可）
