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宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
发布时间:
2025-05-10 13:42:45
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监理工程师
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(
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答案:
大于等于3.0eV
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1.
宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
2.
Cu2O是n型半导体,其禁带宽度仅为2.2ev。( )
3.
半导体光催化材料的禁带宽度越大,太阳光谱的吸收范围越大。
4.
中国大学MOOC: 对于一定的半导体材料,温度降低将导致禁带宽度( )。
5.
室温下,氮化镓的禁带宽度是 。
6.
本征硅的禁带宽度为
7.
单晶硅在室温下的禁带宽度
8.
半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知某材料的禁带宽度Eg=1.39eV,则其发射波长为( )nm(结果保留小数点后3位即可)
9.
请解释何为导带、价带及禁带
10.
下列哪种物质没有禁带
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