找答案
考试指南
试卷
请在
下方输入
要搜索的题目:
搜 索
室温下,氮化镓的禁带宽度是 。
室温下,氮化镓的禁带宽度是 。
发布时间:
2025-05-20 20:48:13
首页
汉语水平考试
推荐参考答案
(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
联系客服
答案:
3.4eV
相关试题
1.
室温下,氮化镓的禁带宽度是 。
2.
单晶硅在室温下的禁带宽度
3.
宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
4.
本征硅的禁带宽度为
5.
禁带的宽度与周期性势场有关,禁带出现的位置与晶体结构有关。
6.
碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。
7.
Cu2O是n型半导体,其禁带宽度仅为2.2ev。( )
8.
从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体
9.
半导体光催化材料的禁带宽度越大,太阳光谱的吸收范围越大。
10.
半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知某材料的禁带宽度Eg=1.39eV,则其发射波长为( )nm(结果保留小数点后3位即可)
热门标签
行测资料分析题库
保密考试试题库
普通话考试内容题库
乡镇公务员面试题库
护士招聘考试题库
消防员题库
银行面试题库
专升本试题库
电力考试题库
专升本考试题库
选调生题库
教师资格证面试结构化面试题库
社区工作者面试题库
申论题库及答案
职业教育题库
警察考试题库
招警考试题库
护理基础知识题库
事业单位公共基础知识考试题库
书记员题库