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本征硅的禁带宽度为
A、1.12 eV
B、1.34 eV
C、3 eV
D、 0.66 eV
发布时间:
2025-03-03 22:12:41
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答案:
A
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本征硅的禁带宽度为
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非晶硅的禁带宽度是
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室温下,硅的禁带宽度分别是 。
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半导体的禁带宽度大于绝缘体的禁带宽度。
7.
禁带宽度
8.
宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
9.
硅的禁带宽度比锗大,所制作的器件比锗耐高温。
10.
绝缘体的禁带宽度非常大
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