找答案
考试指南
试卷
请在
下方输入
要搜索的题目:
搜 索
硅的禁带宽度比锗大,所制作的器件比锗耐高温。
A、正确;
B、错误
发布时间:
2025-06-08 21:01:54
首页
行政执法资格
推荐参考答案
(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
联系客服
答案:
正确
相关试题
1.
硅的禁带宽度比锗大,所制作的器件比锗耐高温。
2.
硅和锗是制造半导体器件的主要材料。( )
3.
硅二极管与锗二极管的差别?
4.
本征硅的禁带宽度为
5.
硅是一种间接带隙半导体,而锗是一种直接带隙半导体。
6.
通常情况下,硅和锗二极管的开启电压分别为( )和( )左右。
7.
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
8.
【填空题】硅管 死区电压 约 V ,锗管 死区电压 约 V 。 硅管导通电压约 V ,锗管 导通 电压约 V
9.
通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
10.
宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
热门标签
护士资格题库
小学语文面试真题题库
民法考试题库
专升本试题库
北京题库
粉笔在线题库
中国移动考试题库
公共基础题库
法考题库
公考面试题库
公务员试题题库
注册会计师会计题库
银行金融知识题库
科技常识大全题库
事业考试题库
城管考试题库
三类人员考试题库
计算机基础考试题库
农行笔试题库
公务员面试题库及答案