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硅的禁带宽度比锗大,所制作的器件比锗耐高温。
A、正确;
B、错误
发布时间:
2025-06-08 21:01:54
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相关试题
1.
硅的禁带宽度比锗大,所制作的器件比锗耐高温。
2.
硅管的导通电压比锗管的小,反向饱和电流比锗管的大。
3.
硅和锗是制造半导体器件的主要材料。( )
4.
硅二极管与锗二极管的差别?
5.
本征硅的禁带宽度为
6.
硅是一种间接带隙半导体,而锗是一种直接带隙半导体。
7.
通常情况下,硅和锗二极管的开启电压分别为( )和( )左右。
8.
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
9.
【填空题】硅管 死区电压 约 V ,锗管 死区电压 约 V 。 硅管导通电压约 V ,锗管 导通 电压约 V
10.
通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
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