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半导体材料的光学带隙Eg是指其( )之间的能量差。
A、导带顶和价带底;
B、价带顶和导带底;
C、允带顶和价带底;
D、导带顶和允带底
发布时间:
2025-05-10 10:53:16
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答案:
价带顶和导带底
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1.
半导体材料的光学带隙Eg是指其( )之间的能量差。
2.
砷化镓是直接带隙半导体材料
3.
硅是一种间接带隙半导体,而锗是一种直接带隙半导体。
4.
通常,半导体材料的带隙比绝缘体的要大。
5.
晶体硅和GaAs都是直接带隙半导体材料。( )
6.
直接带隙半导体,其价带顶和导带底
7.
晶体硅太阳能电池材料中所使用的晶硅材料为 接带隙半导体材料。
8.
硒化锑的光学带隙为( )。
9.
宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
10.
锌黄锡矿型铜锌锡硫属于_____半导体,带隙约为______。( )
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